Bu çalışmada, birbirine paralel ikili, iki boyutlu elektron gazını (2BEG) modellemek için III-V grubu yarı iletken elementlerinden
AlGaAs/GaAs heteroyapısının enerji bant dağılımı Schrödinger ve Poissson denklemlerinin öz uyumlu çözümüyle elde edilmiştir.
AlGaAs/GaAs heteroyapıların elektronik özellikleri katkılamanın 2BEG’in tek ve her iki tarafına yapılması durumunda
katkılamanın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. Ayrıca; enerji bant dağılımının Al konsantrasyonuna bağlı değişimi sistematik
olarak araştırılmıştır.
In this work, energy bant dispersion of AlGaAs/GaAs heterostructure, one of the III-V group elements of semiconductors is
obtained by solving the Schrödinger and Poisson equations self-consistently for the modeling of double (bilayer) 2DEGs placed
parallel. We investigate the electronic properties of AlGaAs/GaAs heterostructures as a function of the doping level in a condition
where we obtain several different donor exist on one side and on both sides of the 2DEG. Besides, changes in the energy bant
dispersion due to different Al concentrations are systematically investigated for these systems.